MicroLEDi kolm rakendust

MicroLED teab praegu kolme protsessi ja peaks kasutama kiireimat kilekandjatehnoloogiat

MicroLEDi tehnoloogia protsessi võib jagada kiipi taseme keevituseks epiteksiliseks keevituseks ja kilekandeks vastavalt erinevatele rakendusmeetoditele:

Chip-liimimine (kiipide sidumine): LED-id on otse lõigatud Micro-LED-kiibidesse ja seejärel kasutatakse SMT-tehnoloogiat või COB-tehnoloogiat mikroskeemide MicroLED kiipide ühendamiseks ükshaaval ekraani substraadiga.

Epitaksiaalsete vahvlite sidumine: induktiivselt ühendatud plasma ioonide söövitamine (ICP) LED-i epitaksiaalses õhukesekile kihis otse mikrotasandi mikro-LED epitaksiaalse õhukese kihi struktuurist ja seejärel LED-vahvel (sh epitaksiaalne kiht ja põhimik) Aktiivse ahela põhimikuga otseselt ühendatud ja lõpuks eemaldatakse substraat füüsikalise või keemilise mehhanismi abil, jättes ekraanielementide moodustamiseks ainult ahelrau substraadile Micro-LED epitaksiaalse õhukese kihi.

Õhukese kihi üleviimine: mikrotasandi MicroLED epitaksiaalne õhukese kihi struktuur moodustub LED-aluspinna koorimisega LED epitaksiaalse õhuke kilekihi kandmiseks ajutise substraadiga ja seejärel induktiivselt sidestatud plasma söövitamisega; või kasutades induktiivselt sidestatud plasma iooneerimist, et moodustada mikronilise suurusega MicroLED epitaksiaalne õhuke kile. LED-aluspinna kortsutamise struktuur kannab LED-epitaksiaalse õhukese kile struktuuri läbi ajutise substraadi.

Joonis: MicroLED erinevad protsessitehnoloogilised omadused

Praegu kasutavad Sony poolt esindatud microLED suure ekraani rakendused põhiliselt kiipide taseme keevitusmeetodit; samas kui Apple reklaamib õhukesekile ülekande tehnoloogiat, mis on sobivam väikestele ja keskmise suurusega ekraanidele. Siin tutvustame ainult Apple'i poolt vastu võetud filmiülekande tehnoloogiat: MicroLED-i kilekandjatehnoloogia voogu saab lihtsalt kirjeldada kui: 1) MicroLED kiipide ettevalmistamine; 2) MicroLED kiipide ülekanne; 3) Paigaldage TFT substraat ja draiver IC toote pakendi täitmiseks.

MicroLED kiipide ettevalmistamine, flip-chip protsess on trend

MicroLED-kiipide ettevalmistusprotsess sarnaneb traditsioonilistele LED-kiipidele. Sinine-roheline valguse kiip kasutatakse ainult näiteks tootmisprotsessi tutvustamiseks: LED-kiipe toodetakse selliste tehniliste protsesside nagu PSS-mustriga substraat, LED epitaxial growth ja kiipide töötlemine safiir-substraadi materjali abil. MicroLED-kiibid on palju väiksemad (paar mikromeetrit) väiksemad kui tavalised LED-kiibid, kuid olemasolev söövitustehnika võib täielikult töödelda mikromeetritasemega kiipe ja tehniliselt olulisi raskusi pole. Järgnev on LED-kiipide kasvu iga lingi lühikirjeldus:

Sapphire substraadi kasvu epitaksiaalne vahvel (sinakasroheline LED-LED-kiip)

Esiteks, sapphire materjal on PSS-substraadi mustriga. Selle etapi eesmärk on realiseerida substraadis mitut valguse peegeldust, kui on ette nähtud safiiri substraadi pinnal korrapäraselt paigutatud koonus, et saavutada kiibi väline valgusavastutus. Kerge efektiivsus. Seejärel on puhastamata kiht (U-GaN), N-tüüpi galliumnitriid (N-GaN), aktiivne kiht (MQW-d, mitu kvantkaevu) ja P-tüüpi galliumnitriidkiht (P-GaN) PSS-kihi järjestikku kasvatatud. )